Infineon IRFS4115-7PPBF

Name: Infineon IRFS4115-7PPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS4115-7PPBF

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS

$ 4.74

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFS4115-7PPBF	0	200	Bulk				4.740	4.740	18h
Farnell		IRFS4115-7PPBF	0	1		3.867*	3.867*	2.996*	2.642*	2.642*	1h
Microchip USA		IRFS4115-7PPBF	321	150	Tray				16.640	16.640	18h
Win Source		WS-IRFS4115-7PPBF	4,768	21				1.966	1.649	1.649	2h
Worldway Electronics	2	IRFS41157PPBF	13,745	7							1h

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IHS

Datasheet9ページ17年前

Datasheet10ページ17年前

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-11-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

説明

Infineon IRFS4115-7PPBFの詳細は販売業者から提供されます。

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, 150V, 105A, 11.8 mOhm, 73 nC Qg, D2PAK-7

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK-7 Polarity: N Power dissipation: 380 W

Distrelec

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 150V, 0.0118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH 150V 105A D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):11.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:105A; Package / Case:D2-PAK-7; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V

element14 APAC

Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive

Infineon