Infineon IRFR3910TRPBF

Name: Infineon IRFR3910TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3910TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.115 Ohm; Id 16A; D-pak (TO-252AA); Pd 79W

$ 0.53

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRFR3910TRPBF	4,000	2K						0.341	15h
Newark	2	IRFR3910TRPBF	1,586	5	Cut Tape		1.190	0.823	0.658	0.658
Future Electronics	3	IRFR3910TRPBF	242,000	2K	Tape & Reel					0.405
Arrow Electronics	3	IRFR3910TRPBF	3,053	1		1.166	0.931	0.665	0.500	0.438
Rutronik		TMOSP12321	2,000	2K						0.244	20h

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Datasheet11ページ21年前

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IRFR3910TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

IRFR3910TRPBF,MOSFET, 100V, 15 A, 115 MOHM, 29.3 NC QG, D-PA

Jameco

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:16A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:79W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR3910TRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 16 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 115 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 27 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 6.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79

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