CADモデル
製造元 Infineon IRFR3709ZPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
関連部品
InfineonIRLR8726TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 86A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Contin
説明
Infineon IRFR3709ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 86A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET, N, 30V, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3709; Current Id Max:86A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:79mW; Pulse Current Idm:340A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating86 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation79 W
Rds On Max6.5 mΩ
Recovery Time44 ns
Resistance6.5 MΩ
Rise Time12 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm