Infineon IRFR120ZPBF

Name: Infineon IRFR120ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR120ZPBF

Single N-Channel 100 V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR120ZPBF	0	1650	Bulk					1.500	18h
Farnell	2	IRFR120ZPBF	0	1		1.114*	0.887*	0.524*	0.419*	0.411*	1d
Win Source		WS-IRFR120ZPBF	1,999	125					0.350	0.313	2h
Worldway Electronics		IRFR120ZPBF	15,845	7	Tube		0.122	0.119	0.112	0.112	1h
Lixinc		IRFR120ZPBF	18,893			0.190	0.166	0.166	0.166	0.166	1d

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IHS

Datasheet12ページ15年前

Newark

Farnell

DigiKey

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFR120ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 100 V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Lighting LED

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:8.7A; On Resistance, Rds(on):190mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark