Infineon IRFP3703PBF

Name: Infineon IRFP3703PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFP3703PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.3MILLIOHMS; Id 210A; TO-247AC; Pd 230W; -55DE

$ 2.53

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFP3703PBF	4,663	1		4.590	3.280	2.600	2.530	2.530
Arrow Electronics	2	IRFP3703PBF	3,250	1		2.029	2.029	2.029	2.029	2.029
Rochester Electronics		IRFP3703PBF	5,349					2.150	1.920	1.810	22h
DigiKey		IRFP3703PBF-ND	2,895	1	Tube	5.640	5.640	2.703	2.651	2.651
Future Electronics	2	IRFP3703PBF	0	10	Tube		3.840	3.790	3.690	3.590

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IHS

Datasheet9ページ21年前

Datasheet10ページ21年前

Datasheet9ページ24年前

Sierra IC

DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-06-03

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRFP3703PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.3Milliohms;ID 210A;TO-247AC;PD 230W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 209 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

IHS

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:210A; On Resistance, Rds(on):2.8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

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