Infineon IRFML8244TRPBF

Name: Infineon IRFML8244TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFML8244TRPBF

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

$ 0.132

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFML8244TRPBF	12,000	3K						0.060	3d
Newark	2	IRFML8244TRPBF.	12,000	3K	Tape & Reel					0.061
Future Electronics	2	IRFML8244TRPBF	507,000	3K	Tape & Reel					0.068
Arrow Electronics	3	IRFML8244TRPBF	44,323	1		0.211	0.134	0.100	0.093	0.065
Rutronik		TMOSS6777	9,000	3K						0.089	8h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-11-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

説明

Infineon IRFML8244TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 25 V 41 mOhm 5.4 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23

Future Electronics

MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 / Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 5.8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.25 W

Distrelec

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 25V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:5.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V; Power Dissipation:1.25W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFML8244TRPBF.

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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