Infineon IRFHS8242TRPBF

Name: Infineon IRFHS8242TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFHS8242TRPBF

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package, PG-TSDSON-6, RoHS

$ 0.207

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRFHS8242TRPBF	177,700					0.208	0.173	0.154	9h
Arrow Electronics		IRFHS8242TRPBF	2,185	1		0.207	0.207	0.207	0.207	0.207
DigiKey	2	448-IRFHS8242TRPBFCT-ND	1,000	1	Cut Tape	1.030	0.642	0.415	0.286	0.286
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFHS8242TRPBF	0	4K	Bulk					0.820	22h
Microchip USA		IRFHS8242TRPBF	394	3K						0.640	4h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRFHS8242TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet10ページ12年前

Datasheet9ページ12年前

Datasheet9ページ15年前

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 Infineon IRFHS8242TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-11-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

説明

Infineon IRFHS8242TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package, PG-TSDSON-6, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 25 V 21 mOhm 4.3 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R

Avnet

N CH MOSFET, 25V, 9.9A, 6-PQFN; Transist; N CH MOSFET, 25V, 9.9A, 6-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; No. of Pins:6

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 8.5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5.3 / Rise Time ns = 19 / Turn-OFF Delay Time ns = 5.4 / Turn-ON Delay Time ns = 6.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PQFN / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.1

Distrelec