Infineon IRFH5020TRPBF

Name: Infineon IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5020TRPBF

Single N-Channel 200 V 55 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

$ 0.873

NRND

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Avnet		IRFH5020TRPBF	8,000	4K						0.638	1d
Newark		IRFH5020TRPBF	12	1	Cut Tape	2.600	1.760	1.280	1.060	1.060
Rutronik		TMOS3534	4,000	4K						0.750	6h
DigiKey	3	IRFH5020TRPBFCT-ND	3,421	1	Cut Tape	2.930	1.878	1.280	0.941	0.872
Arrow Electronics		IRFH5020TRPBF	1,824	1		2.107	1.445	1.023	0.784	0.784

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-10-07

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFH5020TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 200 V 55 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Surface Mount

Avnet

MOSFET, N-Channel, 200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET, N-CH, 200V, 34A, PQFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 34A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 3.6W; Transistor Case Style: PQFN; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon