Infineon IRFH5010TRPBF

Name: Infineon IRFH5010TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5010TRPBF

Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

$ 1.053

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFH5010TRPBF	45	1		1.605	1.295	1.168	1.168	1.168
Rochester Electronics	2	IRFH5010TRPBF	0					0.997	0.828	0.738	20h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH5010TRPBF	0	8	Bulk		1.630	1.460	1.460	1.460	9h
Mouser		942-IRFH5010TRPBF	10	1	Tape & Reel	2.860	1.840	1.250	0.938	0.847
Microchip USA		IRFH5010TRPBF	258	300					5.425	5.425	14h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +42.74%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRFH5010TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Farnell

Datasheet10ページ11年前

Datasheet8ページ14年前

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

在庫履歴

3か月間の傾向:

+42.74%

CADモデル

製造元 Infineon IRFH5010TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-03-29

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

説明

Infineon IRFH5010TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN

Win Source

MOSFET, 100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg,PQFN 5x6

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:3.6W

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon