CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4210TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
説明
Infineon IRFH4201TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 25V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
FET Input Operational Amplifier
Benefits: Low RDSon (less than 0.95 mOhms); Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8C/W); Low Profile (less than 0.9 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; RoHS Compliant, Halogen-Free; MSL1, Industrial Qualification; FastIRFET | Target Applications: eFuse; HotSwap; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; MultiPhase SyncFET; ORing; Point of Load SyncFET
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance950 µΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max950 µΩ
Rise Time43 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length6 mm
Width5 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント