Infineon IRFF9130

Name: Infineon IRFF9130
Brand: Infineon
SKU: IRFF9130

Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line

$ 18

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	IRFF9130	0	2	Tray		18.610	18.000	18.000	18.000
Farnell	2	IRFF9130	0	1		11.755*	11.755*	5.817*	4.153*	4.153*	9h
SHENGYU ELECTRONICS		IRFF9130	18,521	1		15.876	15.558	15.080	14.610	13.970	1d
Best Source		IRFF9130	14,413			13.739	13.739	13.739	13.739	13.739	19h
Classic Components		IRFF9130	35								23h

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IHS

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFF9130の詳細は販売業者から提供されます。

Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line

Infineon

Single P-Channel 100 V 25 W 34.8 Hexfet Transistor Through Hole - TO-39

Future Electronics

-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

IHS

Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:6.5A; On Resistance Rds(On):0.345Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Product Range:-Rohs Compliant: No

Newark