Infineon IRFB7537PBF

Name: Infineon IRFB7537PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB7537PBF

N Channel 60 V 3.3 mO 230 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB

$ 0.809

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRFB7537PBF	1,000	1		0.559	0.539	0.531	0.531	0.531	2d
Newark		IRFB7537PBF	3,522	1		2.970	1.630	1.450	1.240	1.240
Arrow Electronics	3	IRFB7537PBF	1,009	1		3.185	1.442	1.286	1.107	1.107
Future Electronics	2	IRFB7537PBF	51,000	50	Tube			0.820	0.775	0.735
Rochester Electronics		IRFB7537PBF	5,956					0.974	0.809	0.721	21h

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説明

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N Channel 60 V 3.3 mO 230 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB

Future Electronics

MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Win Source

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 TO-220 封装, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 230 W

Distrelec

MOSFET, 60V, 173A, 3.3 MOHM, 142 NC QG, TO-220AB

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-220AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 173A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.

Farnell

Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

SHENGYU ELECTRONICS

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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