CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
関連部品
InfineonIRFI7440GPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
InfineonIPP120N04S402AKSA1
40V, N-Ch, 2.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP160N3LL
N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP160N4LF6
N-channel 40 V, 0.0021 Ohm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
説明
Infineon IRFB7440GPBFの詳細は販売業者から提供されます。
TUBE / MOSFET, 40V, 120A, 2.5 mOhm, 90 nC Qg, TO-220AB
Brushed Motor drive applications | MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation208 W
Rds On Max2.5 mΩ