CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
関連部品
InfineonIRFB52N15DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 32Milliohms;ID 51A;TO-220AB;PD 230W;-55deg
InfineonIRF3415PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
説明
Infineon IRFB61N15DPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Negative Channel 150 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Single N-Channel 150 V 0.032 Ohm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 150V, 60A, 32 mOhm, 95 nC Qg, TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SMPS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.032Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:60A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:250A; Power Dissipation:330W; Power, Pd:330W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:32ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.45°C/W; Voltage, Vds Max:150V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.47 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance32 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max32 mΩ
Resistance32 Ω
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント