Infineon IRFB4137PBF

Name: Infineon IRFB4137PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB4137PBF

Single N-Channel 300 V 69 mOhm 83 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

$ 1.91

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFB4137PBF	37	1		4.049	1.995	1.995	1.995	1.995
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFB4137PBF	0	1	Bulk	4.360	3.920	3.920	3.920	3.920	7h
Future Electronics	2	IRFB4137PBF	0	50	Tube			2.180	2.110	2.060
Avnet		IRFB4137PBF	0	1K					1.373	1.311	17h
Farnell		IRFB4137PBF	0	1		4.692*	1.893*	1.853*	1.733*	1.733*	2h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-10-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IRFB4137PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 300 V 69 mOhm 83 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK

Win Source

300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

TUBE / MOSFET, 300V, 40A, 69 mOhm, 83 nC Qg, TO-220AB

Newark

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Avnet

Transistor MOSFET N-ch 300V 27A TO-220AB

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET, N-CH, 300V, 38A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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