Infineon IRFB23N15DPBF

Name: Infineon IRFB23N15DPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB23N15DPBF

Single N-Channel 150 V 0.09 Ohm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

$ 1.131

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRFB23N15DPBF	31,981					0.857	0.711	0.634	14h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFB23N15DPBF	0	5	Bulk		1.760	1.550	1.550	1.550	7h
Farnell	2	IRFB23N15D	0	1		1.718*	1.718*	0.845*	0.695*	0.695*	14h
Microchip USA		IRFB23N15DPBF	298	600	Bulk				4.355	4.355	8h
Verical	2	IRFB23N15DPBF	28,981	351					0.889	0.793

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Farnell

_legacy Avnet

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-04-17

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-10-31

LTD Date2021-04-30

説明

Infineon IRFB23N15DPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 150 V 0.09 Ohm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, 150V, 23A, 90 mOhm, 37 nC Qg, TO-220AB

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

SMPS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:150V; Continuous Drain Current, Id:23A; On Resistance, Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

Infineon