Infineon IRF7805TRPBF

Name: Infineon IRF7805TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7805TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 9.2MILLIOHMS; Id 13A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-12V

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Rochester Electronics	2	IRF7805TRPBF	112,588					0.580	0.481	0.429	17h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7805TRPBF	0	4K	Bulk					1.597	6h
Farnell	2	IRF7805TRPBF	0	1	Cut Tape	1.581*	1.265*	1.265*	1.265*	1.265*	17h
HQonline		DS0081047	30	1		0.404	0.404	0.404	0.404	0.404	>1w
Component Stockers USA		IRF7805TRPBF	4,972			0.490	0.490	0.460	0.420	0.420	>1wk

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-12-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-10-31

LTD Date2021-04-30

説明

Infineon IRF7805TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 11 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses

Infineon

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

HEXFET CHIP-SET FOR DC-DC CONVERTERS Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:13A; Package/Case:8-SOIC; Power Dissipation, Pd:2.5W; Drain Source On Resistance @ 4.5V:11mohm; Drain-Source Breakdown Voltage:30V ;RoHS Compliant: Yes

Newark