CADモデル
製造元 Infineon IRF7413 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
説明
Infineon IRF7413の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, 30V, 13A, 11 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:13A; On-Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain Source On Resistance @ 10V:11mohm RoHS Compliant: No
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Voltage Rating (DC)30 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント