Infineon IRF7410PBF

Name: Infineon IRF7410PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7410PBF

INFINEON IRF7410PBF MOSFET Transistor, P Channel, 16 A, -12 V, 7 mohm, -4.5 V, -900 mV

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7410PBF	0	3800	Bulk					0.720	23h
Farnell	IRF7410PBF	0	5			1.444*	0.565*	0.471*	0.458*	7h
Win Source	WS-IRF7410PBF	106,600	75				0.776	0.517	0.517	8h
Worldway Electronics	IRF7410PBF	14,584	7	Tube		0.175	0.170	0.161	0.161	7h
ICPartonline	IRF7410PBF	5,423			26.000	24.700	23.400	22.100	20.800	3d

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF7410PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet9ページ17年前

Datasheet9ページ19年前

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

CADモデル

製造元 Infineon IRF7410PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-07-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF7410PBFの詳細は販売業者から提供されます。

INFINEON IRF7410PBF MOSFET Transistor, P Channel, 16 A, -12 V, 7 mohm, -4.5 V, -900 mV

Fly-Wing Technology

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID -16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-8V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor MOSFET Positive Channel 20 Volt 16A 8-Pin SOIC

Jameco

Single P-Channel 12 V 7 mOhm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-16A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:65A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7410; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-12V; Voltage Vgs Max:-900mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

element14 APAC