Infineon IRF6721STR1PBF

Name: Infineon IRF6721STR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6721STR1PBF

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 1.75

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF6721STR1PBF	0	1K	Bulk				1.750	1.350	2d
Farnell	IRF6721STR1PBF	0	5			0.992*	0.667*	0.586*	0.586*	5h
Component Stockers USA	IRF6721STR1PBF	656			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	>1wk
Worldway Electronics	IRF6721STR1PBF	16,483	7	Tape & Reel		0.444	0.431	0.408	0.408	10h
Win Source	WS-IRF6721STR1PBF	20								11h

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IHS

Datasheet9ページ17年前

Newark

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Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF6721STR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 5.1 mOhm, ID 14A, DirectFET

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

Avnet

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 14 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

MOSFET, N-CH, 30V, DIRECTFETSQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:SQ; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:DirectFET; Current Id Max:14A; Package / Case:SQ; Power Dissipation Pd:2.2W; Pulse Current Idm:110A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.4V; Voltage Vgs th Min:1.4V

element14 APAC