Infineon IRF6646TRPBF

Name: Infineon IRF6646TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6646TRPBF

Single N-Channel 80 V 9.5 mOhm 50 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

$ 0.958

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	IRF6646TRPBF	9,600	4800	Tape & Reel					1.820
Rochester Electronics	2	IRF6646TRPBF	431,565					1.080	0.896	0.799	7h
Arrow Electronics	2	IRF6646TRPBF	29,038	1		1.141	1.141	1.141	1.141	1.141
DigiKey	3	IRF6646TRPBFCT-ND	17,265	1	Cut Tape	3.370	2.178	1.496	1.110	1.032
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF6646TRPBF	0	4800	Bulk					2.500	19h

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Datasheet11ページ19年前

Datasheet10ページ20年前

Newark

iiiC

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-05-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2012-06-01

LTD Date2012-09-01

説明

Infineon IRF6646TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 80 V 9.5 mOhm 50 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 68 A, 0.0076 ohm, DirectFET MN, Surface Mount

EBV Elektronik

MOSFET, N-CH, 80V, 68A, DIRECTFET MN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 68A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.9V; Power Dissipation Pd: 89W; Transistor Case Style: DirectFET MN; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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