Infineon IRF5801TRPBF

Name: Infineon IRF5801TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF5801TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 2.2 Ohms; Id 0.6A; TSOP-6; Pd 2W; Vgs +/-30V

$ 0.198

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IRF5801TRPBF	15,825	1		0.128	0.128	0.128	0.128	0.128
Future Electronics	2	IRF5801TRPBF	36,000	3K	Tape & Reel					0.108
Rochester Electronics		IRF5801TRPBF	12,000					0.153	0.127	0.113	12h
DigiKey	3	IRF5801TRPBFCT-ND	6,123	1	Cut Tape	0.730	0.450	0.289	0.197	0.197
Newark	2	IRF5801TRPBF	0	5	Cut Tape		0.510	0.346	0.275	0.275

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Newark

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RS (Formerly Allied Electronics)

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-11-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IRF5801TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 2.2 Ohms;ID 0.6A;TSOP-6;PD 2W;VGS +/-30V

RS (Formerly Allied Electronics)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 200 V 2.2 Ohm 3.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SC-74

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R

Avnet

HEXFET SMPS POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, 200V, TSOP-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Application Code:SMPS; Cont Current Id @ 25°C:600mA; Cont Current Id @ 70°C:0.48; Current Id Max:600mA; Junction to Case Thermal Resistance A:62.5°C/W; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:4.8A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 600 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 2.2 / Gate-Source Voltage V = 30 / Fall Time ns = 19 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 8.8 / Turn-ON Delay Time ns = 6.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TSOP6 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2

Distrelec