CADモデル
製造元 Infineon IRF460 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2020-08-03
関連部品
InfineonJANTX2N6768
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
説明
Infineon IRF460の詳細は販売業者から提供されます。
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
MOSFET, N, TO-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:1200mJ; Current Iar:21A; Current Id Max:21A; Current Temperature:25°C; Fixing Centres:30mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:11mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:84A; Repetitive Avalanche Energy Max:30mJ; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:11.5g
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight11.5 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance310 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Dual Supply Voltage500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance300 mΩ
Power Dissipation300 W
TerminationThrough Hole
Dimensions
Lead Pitch11 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
準拠ステートメント