Infineon IRF3707ZSPBF

Name: Infineon IRF3707ZSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3707ZSPBF

IRF3707ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 30 V, 3-Pin D2PAK

$ 3.35

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF3707ZSPBF	0	550	Bulk				3.350	1.790	12h
Farnell		IRF3707ZSPBF	0	1		1.763*	1.763*	1.310*	0.864*	0.864*	6h
Win Source	2	WS-IRF3707ZSPBF	51,000	190					0.238	0.207	21h
Worldway Electronics	2	IRF3707ZS	16,280	7	Tube		0.088	0.086	0.081	0.081	20h
Fly-Wing Technology	2	IRF3707ZSPBF	39,934			0.255	0.209	0.202	0.189	0.189	2d

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-11-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

説明

Infineon IRF3707ZSPBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRF3707ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 30 V, 3-Pin D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 30V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 30V 59A

Win Source

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET, N, 30V, 59A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:57W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:59A; Junction to Case Thermal Resistance A:2.65°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9.5mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:57W; Power Dissipation Pd:57W; Pulse Current Idm:230A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.25V

element14 APAC