CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
関連部品
説明
Infineon IRF1607PBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 0.0058Ohm;ID 142A;TO-220AB;PD 380W;VGS +/-20
Single N-Channel 75 V 7.5 mOhm 210 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
IRF1607PBF,MOSFET, 75V, 142A, 7.5 MOHM, 210 NC QG, TO-220AB<
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 80V 142A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 142A I(D), 75V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:142A; On Resistance Rds(On):0.0058Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
N CH MOSFET, 75V, 142A, TO-220AB; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:142A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:380W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:142A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.4°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:7.5ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Pulse Current Idm:570A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating142 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time86 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation380 W
Rds On Max7.5 mΩ
Resistance7.5 Ω
Rise Time130 ns
Turn-Off Delay Time84 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント