Infineon IR2181PBF

Name: Infineon IR2181PBF
Brand: Infineon
SKU: IR2181PBF

Tube IR2181 Half-Bridge 1996 gate driver 40ns 20ns -40C~150C TJ 1.9A 2.3A 0.8V 2.7V

$ 2.52

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IR2181PBF	2,329					2.690	2.410	2.260	21h
RS (Formerly Allied Electronics)		IR2181PBF	0	1	Bulk	2.860	2.860	2.630	2.630	2.630	10h
Farnell		IR2181PBF	0	1		8.009*	6.580*	4.948*	4.584*	4.584*	8h
Verical		IR2181PBF	2,250	112					3.013	2.825
Component Stockers USA		IR2181PBF	5,280			3.050	3.050	2.780	2.780	2.780	>1wk

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.60

Introduction Date1999-10-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2010-02-28

LTD Date2010-08-31

説明

Infineon IR2181PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Tube IR2181 Half-Bridge 1996 gate driver 40ns 20ns -40C~150C TJ 1.9A 2.3A 0.8V 2.7V

AAA CHIPS

600 V high-side and low-side gate driver IC, PDIP8, RoHS

Infineon SCT

IR2181 Series 600 V 1.9 A 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - PDIP-8

Future Electronics

MOSFET Driver IC; Device Type:High and Low Side; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:25V; Package/Case:8-DIP; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Fall Time, tf:20ns ;RoHS Compliant: Yes

Newark

600 V High and Low Side Driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC. | Summary of Features: Floating channel designed for bootstrap operation; Fully operational to +600 V; Tolerant to negative transient voltage; dV/dt immune; Gate drive supply range from 10 to 20 V; Undervoltage lockout for both channels; 3.3 V and 5 V input logic compatible; Matched propagation delay for both channels; Logic and power ground +/- 5 V offset; Lower di/dt gate driver for better noise immunity; Output source/sink current capability 1.4A/1.8A

Infineon

The IR2181(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.

DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE, 2181; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side / Low Side; Peak Output Current:2.3A; Input Delay:180ns; Output Delay:220ns; Supply Voltage Range:10V to 20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Number:2181; IC Generic Number:2181; Logic Function Number:2181; No. of Outputs:2; Offset Voltage:600V; Operating Temperature Max:125°C; Operating Temperature Min:-40°C; Output Current:1.9A; Output Current + Max:1700mA; Output Sink Current Min:1700mA; Output Source Current Min:1700mA; Output Voltage:620V; Output Voltage Max:20V; Output Voltage Min:10V; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1W; Supply Voltage Max:20V; Supply Voltage Min:10V; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcc Max:25V; Voltage Vcc Min:10V

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