CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
InfineonSPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies N channel CoolMOS power transistor, 800 V, 17 A, TO-247, SPW17N80C3
説明
Infineon IPW65R190CFDの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET Transistor, N Channel, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
650V 17.5A 190mΩ@10V,7.3A 151W 4.5V@730uA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3
650V CoolMOS C6 CFD POWER Transistor
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation151 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation151 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time8.4 ns
Threshold Voltage4 V