Infineon IPW60R125CPFKSA1

Name: Infineon IPW60R125CPFKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPW60R125CPFKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole

$ 3.259

NRND

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	IPW60R125CPFKSA1	180	1		3.960	3.960	3.960	3.960	3.960
Rochester Electronics	IPW60R125CPFKSA1	285					2.650	2.370	2.230	10h
Newark	IPW60R125CPFKSA1	0	1		5.830	4.890	3.960	3.510	3.510
Future Electronics	IPW60R125CPFKSA1	0	240	Tube				3.090	3.030
Avnet	IPW60R125CPFKSA1	0	240					2.785	2.682	13h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-08-30

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IPW60R125CPFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

Semicontronic

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:650V; Current, Id cont:25A; Resistance, Rds on:0.125ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:3V; Case style:TO-247 (SOT-249); Current, Idm RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N-CH, 650V, 25A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; MSL:(Not Applicable); SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

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