CADモデル
製造元 Infineon IPW60R045CPAFKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R048CFDAFKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
STMicroelectronicsSTW60NM50N
N-channel 500 V, 0.035 Ohm typ., 68 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW62NM60N
N-channel 600 V, 0.04 Ohm typ., 65 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a TO-247 package
説明
Infineon IPW60R045CPAFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Through Hole
COOLMOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 600V, 60A, 431W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3
Summary of Features: Worldwide best Rds,on in TO247; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rated; High peak current capability; Automotive AEC Q101 qualified; Green package (RoHS compliant); CoolMOS CPA is specially designed for:; DC/DC converters for Automotive Application
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation431 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation431 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height25.4 mm