Infineon IPU60R2K1CEAKMA1

Name: Infineon IPU60R2K1CEAKMA1
Brand: Infineon
SKU: IPU60R2K1CEAKMA1

N-Channel 600 V 2.3 A 2100 mO 6.7 nC CoolMOS CE Power Transistor - IPAK, PG-TO251-3, RoHS

$ 0.199

EOL

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IPU60R2K1CEAKMA1	344	5			0.631	0.403	0.309	0.266
Arrow Electronics	IPU60R2K1CEAKMA1	78	1		0.147	0.147	0.147	0.147	0.147
Rutronik	TMOS2385	1,425	75				0.215	0.172	0.172	11h
Rochester Electronics	IPU60R2K1CEBKMA1	6,512					0.186	0.155	0.138	3h
DigiKey	IPU60R2K1CEAKMA1-ND	2,799	1	Tube	0.820	0.820	0.346	0.249	0.205

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Future Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-09-25

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon IPU60R2K1CEAKMA1の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel 600 V 2.3 A 2100 mO 6.7 nC CoolMOS CE Power Transistor - IPAK, PG-TO251-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Verical

22KW 20V 3.5V 6.7nC@ 10V 600V 2.1¦¸@ 10V 140pF@ 100V TO-251 6.22mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251

IHS

Infineon MOSFET IPU60R2K1CEAKMA1

RS APAC

600VCoolMOS CE Power Transistor

Avnet

IC AMP GENERAL PURPOSE 8CERDIP

YIC International

IPU60R2K1 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER;

Farnell

Very high commutation ruggedness

Win Source

Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Infineon