Infineon IPT063N15N5ATMA1

Name: Infineon IPT063N15N5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPT063N15N5ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Surface Mount

$ 2.124

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPT063N15N5ATMA1	3,832	1	Cut Tape	4.900	3.250	2.320	2.210	2.210
Rochester Electronics		IPT063N15N5ATMA1	7,185					1.710	1.530	1.440	21h
DigiKey	2	448-IPT063N15N5ATMA1CT-ND	90	1	Cut Tape	5.100	3.374	2.397	2.098	2.098
Avnet		IPT063N15N5ATMA1	0	2K						1.510	2d
Future Electronics	2	IPT063N15N5ATMA1	0	2K	Tape & Reel					2.860

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPT063N15N5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Surface Mount

EBV Elektronik

Mosfet Single, 122A, 150V, 214W, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT063N15N5ATMA1

Newark

Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 122A I(D), 150V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Infineon NMOS, Vds=150 V, 122 A, HSOF-8, , 8

UnikeyIC

Infineon’s OptiMOS™ power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high-current applications, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design. Compared to D²PAK 7-pin, TO-Leadless shows a substantial reduction in footprint of 30 percent. The 50 percent reduced height offers a significant advantage in narrow applications such as rack or blade servers.

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