Infineon IPT008N06NM5LFATMA1

Name: Infineon IPT008N06NM5LFATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPT008N06NM5LFATMA1

Mosfet, N-Ch, 60V, Hsof-8 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT008N06NM5LFATMA1

$ 3.836

Production

メーカーページ

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPT008N06NM5LFATMA1	3,843	1	Cut Tape	8.830	6.440	5.210	5.070	5.070
Future Electronics	2	IPT008N06NM5LFATMA1	6,000	2K	Tape & Reel					6.030
Rochester Electronics		IPT008N06NM5LFATMA1	39					3.160	2.830	2.660	22h
DigiKey	2	448-IPT008N06NM5LFATMA1CT-ND	2,299	1	Cut Tape	8.060	5.461	3.991	3.873	3.873
Avnet		IPT008N06NM5LFATMA1	0	2K						3.594	2d

在庫履歴

3か月間の傾向 : +24.47%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IPT008N06NM5LFATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

在庫履歴

3か月間の傾向:

+24.47%

CADモデル

製造元 Infineon IPT008N06NM5LFATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPT008N06NM5LFATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet, N-Ch, 60V, Hsof-8 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT008N06NM5LFATMA1

Newark

Transistor MOSFET N-Channel 60V 454A 8-Pin HSOF T/R

Avnet

Trans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 454A I(D), 60V, 0.0008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

2.3 mm 3.1 W 1 7 ns 63 ns 150 °C -55 °C 670 µΩ

Augswan

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, HSOF-8;

element14 APAC

Infineon NMOS, Vds=60 V, 454 A, HSOF-8, , 8

UnikeyIC

60v, 454A, .8mohm, PG-HSOF-8, N-CH

Future Electronics

SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 60V

DigiKey

IPT008N06NM5LF is Infineon’s best-in-class OptiMOS™ 5 linear FET 60V in a TO-Leadless (TOLL) package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) and wide safe operating area (SOA) at 25˚C. The OptiMOS™ linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the TOLL package, IPT008N06NM5LF is targeted for high in-rush current, harsh applications, such as hot-swap, e-fuse, and protection applications commonly found in telecom and battery management systems (BMS).

Infineon