Infineon IPT007N06NATMA1

Name: Infineon IPT007N06NATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPT007N06NATMA1

375KW 20V 3.3V 216NC@ 10V 2N 60V 750¦Ì¦¸@ 10V 300A 16NF@ 30V HSOF-8, PQFN-8 , 9.9MM*10.38M*2.3MM

$ 3.227

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IPT007N06NATMA1	36,000	2K						3.029	1d
Newark	2	IPT007N06NATMA1	635	1	Cut Tape	1.280	1.280	1.280	1.280	1.280
Arrow Electronics	3	IPT007N06NATMA1	1,424	1		2.984	2.984	2.984	2.984	2.984
Future Electronics	4	IPT007N06NATMA1	2,000	2K	Tape & Reel					3.320
Rochester Electronics		IPT007N06NATMA1	323,173					2.900	2.590	2.440	2h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-05-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPT007N06NATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

375KW 20V 3.3V 216nC@ 10V 2N 60V 750¦Ì¦¸@ 10V 300A 16nF@ 30V HSOF-8,PQFN-8 , 9.9mm*10.38m*2.3mm

Unikeyic (ICkey)

MOSFET Devices; INFINEON; IPT007N06N; 60 V; 300 A; 20 V; 375 W

Maritex

Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.00075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

60V 300A 375W 0.75m´Î@10V150A 3.3V@260Ã×A N Channel PG-HSOF-8-1 MOSFETs ROHS

Dasenic

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R / Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Win Source

MOSFET N-Channel 60V 300A OptiMOS HSOF9

RS APAC

Infineon's TO-Leadless package is optimized for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. This package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

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