CADモデル
製造元 Infineon IPP90R500C3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
関連部品
STMicroelectronicsSTF13N80K5
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15N95K5
N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
説明
Infineon IPP90R500C3の詳細は販売業者から提供されます。
CoolMOS™ Power Transistor | MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
11 A 900 V 0.5 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:156W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:156W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Dual Supply Voltage900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Rds On Max500 mΩ
Rise Time20 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time70 ns
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント