Infineon IPP65R225C7XKSA1

Name: Infineon IPP65R225C7XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP65R225C7XKSA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Through Hole

$ 1.115

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPP65R225C7XKSA1	390	1		3.360	1.710	1.460	1.130	1.130
DigiKey		IPP65R225C7XKSA1-ND	500	1	Tube	3.870	3.870	1.742	1.305	1.119
Future Electronics	2	IPP65R225C7XKSA1	0	50	Tube			1.160	1.130	1.100
Avnet		IPP65R225C7XKSA1	0	50				1.143	0.958	0.958	23h
Arrow Electronics		IPP65R225C7XKSA1	0	500					0.958	0.958

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2013-04-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon IPP65R225C7XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.199 ohm, TO-220, Through Hole

EBV Elektronik

N-Channel 650V 11A(Tc) 4V @ 240uA 225mΩ @ 4.8A,10V 63W(Tc) PG-TO220-3 MOSFET RoHS

Jak Electronics

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Verical

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.199ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;

Farnell

Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Infineon