Infineon IPP60R299CPXKSA1

Name: Infineon IPP60R299CPXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP60R299CPXKSA1

96W 20V 2.5V 22NC@ 10V 1N 650V 299M¦¸@ 10V 11A 1.1NF@ 100V TO-220-3 10MM*4.4MM*15.65MM

$ 1.155

EOL

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IPP60R299CPXKSA1	451					1.360	1.130	1.010	6h
DigiKey	448-IPP60R299CPXKSA1-ND	990	1	Tube	3.790	3.790	1.708	1.386	1.386
Future Electronics	IPP60R299CPXKSA1	0	500	Tube				1.180	1.150
Avnet	IPP60R299CPXKSA1	0	500					1.085	1.004	8h
Arrow Electronics	IPP60R299CPXKSA1	0	500					1.018	1.018

在庫履歴

3か月間の傾向 : +32.01%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IPP60R299CPXKSA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ15年前

Upverter

Farnell

DigiKey

在庫履歴

3か月間の傾向:

+32.01%

CADモデル

製造元 Infineon IPP60R299CPXKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-08-30

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon IPP60R299CPXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

96W 20V 2.5V 22nC@ 10V 1N 650V 299m¦¸@ 10V 11A 1.1nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm

Unikeyic (ICkey)

IPP60R299CP Series 600 V 11 A 299 mOhm 96 W 22 nC N-Channel MOSFET - TO-220-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

COOLMOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):299mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:96W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:96W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC