CADモデル
製造元 Infineon IPP47N10S33AKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-09-30
LTD Date2017-03-31
関連部品
InfineonIPP16CN10LGXKSA1
100W(Tc) 20V 2.4V@ 61¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 100V 15.7m¦¸@ 54A,10V 4.19nF@50V TO-220 9.45mm
InfineonIPP50N10S3L16AKSA1
100V, N-Ch, 15.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T, PG-TO220-3, RoHS
NXP SemiconductorsPSMN8R5-100XSQ
MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F / Trans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
説明
Infineon IPP47N10S33AKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin TO-220AB Tube
SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Summary of Features: N-Channel; Enhancement mode; Logic Level; 175C operating temperature; Avalanche rated; dv/dt rated; Green Package (lead free) | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation175 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max33 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time25 ns