Infineon IPP100N08N3GXKSA1

Name: Infineon IPP100N08N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP100N08N3GXKSA1

Transistor MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin TO-220 Tube

$ 0.607

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Distributor		SKU		Min
Arrow Electronics		IPP100N08N3GXKSA1	5	1	0.318	0.318	0.318	0.318	0.318
Rochester Electronics		IPP100N08N3GXKSA1	26,000				1.080	0.896	0.799	5h
Farnell		IPP100N08N3GXKSA1	0	1	1.854*	1.854*	1.854*	1.854*	1.854*	6h
Verical	2	IPP100N08N3GXKSA1	5	4		0.318	0.318	0.318	0.318
Win Source	2	WS-IPP100N08N3 G	445	30			1.668	1.356	1.356	6h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-12-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-12-31

LTD Date2024-06-30

説明

Infineon IPP100N08N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin TO-220 Tube

Avnet Japan

OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N-CH, 80V, 70A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; P

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 70 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 80 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 9.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5 / Rise Time ns = 46 / Turn-OFF Delay Time ns = 22 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220-3 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 100

Distrelec