Infineon IPP072N10N3GXKSA1

Name: Infineon IPP072N10N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP072N10N3GXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Through Hole

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	50Y2057	32	1		3.070	1.700	1.570	1.310	1.310	4d
Newark		IPP072N10N3GXKSA1	32	1		3.060	1.690	1.560	1.300	1.300
Arrow Electronics	2	IPP072N10N3GXKSA1	5,460	1		3.283	1.623	1.466	1.148	1.148
Rochester Electronics		IPP072N10N3GXKSA1	29,800					1.130	0.938	0.836	19h
DigiKey		448-IPP072N10N3GXKSA1-ND	970	1	Tube	2.980	2.980	1.328	0.988	0.829

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-10-21

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon IPP072N10N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Through Hole

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.7V;

Farnell

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon