Infineon IPL65R230C7AUMA1

Name: Infineon IPL65R230C7AUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPL65R230C7AUMA1

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Surface Mount

$ 1.165

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPL65R230C7AUMA1	3,000	3K						1.017	3d
Newark		IPL65R230C7AUMA1	30	1	Cut Tape	3.110	2.020	1.390	1.160	1.160
Arrow Electronics		IPL65R230C7AUMA1	7,246	1		1.298	1.298	1.298	1.298	1.298
Rochester Electronics		IPL65R230C7AUMA1	25,841					1.300	1.080	0.962	12h
DigiKey	3	IPL65R230C7AUMA1CT-ND	6,934	1	Cut Tape	3.320	2.157	1.494	1.175	1.175

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-04-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPL65R230C7AUMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 650(Min)V 10A 4-Pin VSON T/R

Avnet Japan

67W 20V 4V 20nC@ 10V 1N 650V 230m¦¸@ 10V 996pF@ 400V VSON-4 , 8mm*8mm*1.1mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

700V 10A 230mΩ 67W 4V 1 N-Channel VSON-4(8x8) MOSFETs ROHS

ODG (Origin Data Global)

650V CoolMOS™ C7 Power Transistor

Win Source

IPL65R230 - 650V AND 700V COOLMO

DigiKey Marketplace

MOSFET, N-CH, 650V, 10A, VSON-5; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.204ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; Power Dissipation Pd: 67W; Transistor Case Style: VSON; No. of Pins: 5Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS C7 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Infineon