価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
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| QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD | IPI120N06S403AKSA1 | 連絡先 | >1wk | |||||||||
| SD Chips | IPI120N06S403AKSA1 | 連絡先 | >1wk | |||||||||
| North Star Micro | NS-IPI120N06S4-03 | 連絡先 | >1wk |
CADモデル
製造元 Infineon IPI120N06S403AKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-01-31
LTD Date2016-07-31
関連部品
InfineonIPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 / N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
InfineonIPI040N06N3GXKSA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync. rectification, drives and dc/dc SMPS
InfineonIPI024N06N3GXKSA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.
説明
Infineon IPI120N06S403AKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-262 Tube
Compliant Through Hole 15 ns 10 ns 3.2 mΩ TO-262-3 3 13.15 nF
N-CH 60V 120A 3mOhm TO262-3 RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.15 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time40 ns