Infineon IPI086N10N3GXKSA1

Name: Infineon IPI086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

$ 0.713

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPI086N10N3GXKSA1	111	1		2.270	1.630	0.987	0.724	0.642
Future Electronics	2	IPI086N10N3GXKSA1	3,500	500	Tube				0.635	0.595
Arrow Electronics		IPI086N10N3GXKSA1	175	1		1.392	1.392	0.899	0.899	0.899
Rochester Electronics		IPI086N10N3GXKSA1	465					0.847	0.703	0.626	16h
DigiKey		IPI086N10N3GXKSA1-ND	28	1	Tube	2.420	2.420	1.057	0.776	0.623

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-02-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPI086N10N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Verical

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Through Hole

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

Semicontronic

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon

Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0074Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1

Newark