Infineon IPF039N08NF2SATMA1

Name: Infineon IPF039N08NF2SATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPF039N08NF2SATMA1

Mosfet, N-Ch, 80V, 126A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPF039N08NF2SATMA1

$ 0.921

Production

メーカーページ

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IPF039N08NF2SATMA1	31,400					1.110	0.921	0.821	11h
DigiKey	2	448-IPF039N08NF2SATMA1CT-ND	660	1	Cut Tape	2.960	1.913	1.316	1.316	1.316
Newark		IPF039N08NF2SATMA1	0	1	Cut Tape	3.290	2.310	1.890	1.890	1.890
Avnet		IPF039N08NF2SATMA1	0	800					0.898	0.873	1d
Arrow Electronics		IPF039N08NF2SATMA1	0	800					0.777	0.710

在庫履歴

3か月間の傾向 : +34.50%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IPF039N08NF2SATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

在庫履歴

3か月間の傾向:

+34.50%

Powered by

サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPF039N08NF2SATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet, N-Ch, 80V, 126A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPF039N08NF2SATMA1

Newark

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Surface Mount

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 126A I(D), 80V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 3.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

Infineon