Infineon IPDQ60R010S7XTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7XTMA1
Brand: Infineon
SKU: IPDQ60R010S7XTMA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Surface Mount

$ 16.928

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPDQ60R010S7XTMA1	1,035	1	Cut Tape	20.680	16.510	14.320	13.770	13.770
Arrow Electronics		IPDQ60R010S7XTMA1	10	1		25.142	25.142	25.142	25.142	25.142
Rochester Electronics		IPDQ60R010S7XTMA1	14,299					14.810	13.250	12.470	23h
DigiKey	2	448-IPDQ60R010S7XTMA1CT-ND	254	1	Cut Tape	25.370	20.379	18.130	18.130	18.130
Avnet		IPDQ60R010S7XTMA1	0	750					16.928	15.192	2d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-10-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPDQ60R010S7XTMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Surface Mount

EBV Elektronik

IPDQ60R Series 600 V 50 A 694 W 10 mOhm Single N-Channel MOSFET - PG-HDSOP-22

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 22-Pin HDSOP EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Infineon NMOS IPDQ60R010S7, Vds=600 V, 50 A, QDPAK, , 22

UnikeyIC

2.5 mm 694 W 1 50 ns 180 ns 150 °C -55 °C 9 mΩ

Augswan

Mosfet, N-Ch, 600V, 50A, Hdsop; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:12V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPDQ60R010S7XTMA1

Newark

The 600 V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET family is optimized for low conduction losses and features the lowest RDS(on) in the market when it comes to high-voltage SJ MOSFETs. It comes with an unprecedented RDS(on) x price figure of merit and is a perfect fit for solid-state circuit breakers and relays, PLCs, battery protection, and active bridge rectification in high-power power supplies.

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