Infineon IPDD60R125G7XTMA1

Name: Infineon IPDD60R125G7XTMA1
Brand: Infineon
SKU: IPDD60R125G7XTMA1

Transistor Mosfet N-ch 600V 20A 10-PIN Hdsop T/r

$ 1.94

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IPDD60R125G7XTMA1	3	1		0.463	0.463	0.463	0.463	0.463
Rochester Electronics		IPDD60R125G7XTMA1	33					1.660	1.490	1.400	11h
DigiKey	2	IPDD60R125G7XTMA1CT-ND	1,060	1	Cut Tape	4.970	3.286	2.331	2.028	2.028
Newark		IPDD60R125G7XTMA1	0	1	Cut Tape	4.840	3.200	2.280	1.940	1.940
Future Electronics	2	IPDD60R125G7XTMA1	0	1700	Tape & Reel					2.660

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-01-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPDD60R125G7XTMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N-CH 600V 20A 10-Pin HDSOP T/R

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Mosfet, N-Ch, 600V, 20A, Hdsop; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.108Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPDD60R125G7XTMA1

Newark

Infineon Technologies introduces Double DPAK (D-DPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom.The benefits of the already existing high voltage technology 600 V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFET is combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.

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