価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPD90N08S405ATMA1 | 4,418 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPD90N08S405ATMA1 | 717 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | IPD90N08S405ATMA1 | 30,577 | 23h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IPD90N08S405ATMA1 | 5 | 1 | Bulk | 16h | |||||||
| DigiKey | 448-IPD90N08S405ATMA1CT-ND | 6,865 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Infineon IPD90N08S405ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
関連部品
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
InfineonIRFR7540TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
説明
Infineon IPD90N08S405ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 144W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
80V, N-Ch, 5.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING UP TO 175 DEGREE CELSI
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance5.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.8 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation144 W
Rds On Max5.3 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.5 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント