Infineon IPD900P06NMATMA1

Name: Infineon IPD900P06NMATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD900P06NMATMA1

Transistor Mosfet P-ch 60V 16.4A 3-PIN TO-252 T/r

$ 0.406

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPD900P06NMATMA1	1,767	1	Cut Tape	1.410	0.890	0.589	0.418	0.418
Arrow Electronics		IPD900P06NMATMA1	2,494	1		0.346	0.346	0.346	0.346	0.346
Rochester Electronics		IPD900P06NMATMA1	2,559					0.423	0.351	0.313	23h
DigiKey	3	448-IPD900P06NMATMA1CT-ND	7,885	1	Cut Tape	1.450	0.916	0.607	0.431	0.431
Future Electronics		IPD900P06NMATMA1	0	2500	Tape & Reel					0.300

在庫履歴

3か月間の傾向 : -1.48%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IPD900P06NMATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ0年前

在庫履歴

3か月間の傾向:

-1.48%

Powered by

CADモデル

製造元 Infineon IPD900P06NMATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
SnapEDA	シンボルフットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPD900P06NMATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET P-CH 60V 16.4A 3-Pin TO-252 T/R

EBV Elektronik

63W(Tc) 20V 4V@ 710¦ÌA 27nC@ 10 V 1P 60V 90m¦¸@ 16.4A,10V 16.4A 1.1nF@30V TO-252-3

UnikeyIC

Mosfet, P-Ch, -60V, -16.4A, 175Deg C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD900P06NMATMA1

Newark

Trans MOSFET P-CH 60V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 16.4A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

COM,-60V-16A 90OHM SINGLE P-CH DPAK (TO-252)

Future Electronics

OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal and logic level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg.

Infineon