CADモデル
製造元 Infineon IPD80R280P7ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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サプライチェーン
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-07-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
説明
Infineon IPD80R280P7ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Infineon NChannelMOSFETTube, Vds=800 V, 17 A, TO-252encapsulation, surface mount, 3Pin
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
A new benchmark in efficiency and thermal performance, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
N-CH+ESD 800V 17A 280mOhm DPAK
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Infineon IPD80R280P7ATMA1 MOSFET
IPD80R280 - 800V COOLMOS N-CHANN
800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation101 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance280 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation101 W
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.5 mm