サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
関連部品
InfineonIPD60R1K5CEATMA1
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 0.047uF 25volt X7R +/-5%
InfineonSPD03N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / Cool MOS Power Transistor
説明
Infineon IPD65R1K4CFDBTMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A 3-Pin TO-252 T/R
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance262 pF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28.4 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation28.4 W
Rds On Max1.4 Ω