Infineon IPD60R210PFD7SAUMA1

Name: Infineon IPD60R210PFD7SAUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD60R210PFD7SAUMA1

N-Channel 650 V 16 A 210 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO252-3-344

$ 0.814

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPD60R210PFD7SAUMA1	10,000	2500						0.689	2d
Newark		IPD60R210PFD7SAUMA1	2,259	1	Cut Tape	2.580	1.750	1.280	1.030	1.030
Arrow Electronics		IPD60R210PFD7SAUMA1	2,427	1		0.692	0.692	0.692	0.692	0.692
Rochester Electronics		IPD60R210PFD7SAUMA1	33,870					0.897	0.744	0.664	23h
DigiKey	3	448-IPD60R210PFD7SAUMA1CT-ND	12,373	1	Cut Tape	2.530	1.623	1.106	0.814	0.814

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-10-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPD60R210PFD7SAUMA1の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel 650 V 16 A 210 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO252-3-344

Future Electronics

Mosfet, N-Ch, 600V, 16A, To-252/Dpak Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R210PFD7SAUMA1

Newark

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

INFINEON MOSFET IPD60R210PFD7SAUMA1

RS APAC

IPD60R210PFD7S - MOSFET N-CHANNE

DigiKey Marketplace

MOS, Vds=650 V, 42 A, PG-TO252

UnikeyIC

The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R210PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications. The IPD60R210PFD7S in a TO-252 DPAK package features RDS(on) of 210mOhm leading to low switching losses. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD package reduce PCB space and in turn the bill-of-material (BOM) the customer.This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS™ PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS™ P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.

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